这项耗资5200万美元的开发项目目标是在本世纪末前完成批量生产。
软银将向Saimemory出资2000万美元。富士通和日本理研国立研究院将出资700万美元。日本政府预计还将补贴部分费用。
Saimemory旨在开发存储容量为HBM的2到3倍，且功耗减半且价格相当或更低的内存。
它将使用英特尔和东京大学的知识产权和专利。新兴电气工业和Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫erchip半导体负责制造和原型制作。英特尔将提供由DARPA资助开发的堆叠技术。
Saimemory的方法是利用新颖的互联技术堆叠标准DRAM芯片。
另一家采用相同方法的公司是NEO Semiconductor，而上周，英伟达向Groq支付了200亿美元，开发了AI推理集成电路技术，消除了对高密度磁体的必要。
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